基于Ge浓缩技术和O3氧化制备超薄GOI材料

• 作者: 卢启海 李成 林光杨 池晓伟 蓝小凌 赖虹凯 陆超 陈松岩 黄巍
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 锗浓缩 超薄GOI O3氧化 减薄 粗糙度
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 676-679,684
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2016.05.016

摘要

采用锗(Ge)浓缩技术对绝缘层上锗硅(SGOI)材料进行循环氧化、退火,制备出19 nm厚的绝缘层上锗(GOI)材料.然后对该GOI材料在400℃下进行O3氧化,以进一步减薄GOI的厚度.采用高分辨透射电镜(HRTEM)、X射线反射(XRR)和原子力显微镜(AFM)等对样品形貌和结构进行表征.测试结果显示,O3氧化减薄后的GOI晶体质量得到提高,且表面更加平整(厚度减薄2.5nm,粗糙度RMS降低0.26 nm).通过循环的O3氧化减薄,可获得高质量的超薄(小于10 nm)GOI材料,用于制备超薄高迁移率沟道Ge MOSFET.