束流对氢离子源辅助磁控溅射制备a-Si∶H薄膜结构特性的影响

• 作者: 丁明 刘琦 周守发 李梦雨 王维燕 王辉 高敏 黄俊俊
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子源辅助溅射 非晶硅薄膜 结构性能 束流
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 654-658
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2016.06.09

摘要

利用氢离子源辅助磁控溅射制备氢化非晶硅薄膜(a-Si∶ H),借助拉曼光谱仪、红外光谱仪和椭圆偏振光谱仪等分析测试手段,研究氢离子源束流对a-Si∶H薄膜结构特性影响规律.结果表明采用氢离子源辅助磁控溅射制备a-Si∶H薄膜,有利于改善a-Si∶H薄膜结构特性;当离子源束流为5mA时,薄膜的结构特性最优,a-Si∶H薄膜在0.8 eV处的吸收系数、氢含量、微结构因子和光学带隙分别是0.7 cm-1、10.2％(原子比)、0.47和2.02 eV.表明采用氢离子源辅助磁控溅射制备a-Si∶H薄膜满足器件要求.