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摘要:
采用原子层淀积(ALD)方法,制备了Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT)。在栅压为-20V时,MOS-HEMT的栅漏电比Schottky-gateHEMT的栅漏电低4个数量级以上。在栅压为+2V时,Schottky-gateHEMT的栅漏电为191μA;在栅压为+20V时,MOS-HEMT的栅漏电仅为23.6nA,比同样尺寸的Schottky-gateHEMT的栅漏电低将近7个数量级。AlGaN/GaNMOSHEMT的栅压摆幅达到了±20V。在栅压Vgs=0V时,MOS-HEMT的饱和电流密度达到了646mA/mm,相比Schottky-gateHEMT的饱和电流密度(277mA/mm)提高了133%。栅漏间距为10μm的AlGaN/GaNMOSHEMT器件在栅压为+3V时的最大饱和输出电流达到680mA/mm,特征导通电阻为1.47mΩ·cm2。Schottky-gateHEMT的开启与关断电流比仅为105,MOS-HEMT的开启与关断电流比超过了109,超出了SchottkygateHEMT器件4个数量级,原因是栅漏电的降低提高了MOS-HEMT的开启与关断电流比。在Vgs=-14V时,栅漏间距为10μm的AlGaN/GaNMOS-HEMT的关断击穿电压为640V,关断泄露电流为27μA/mm。
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文献信息
篇名 具有高开启/关断电流比的Al2O3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
来源期刊 发光学报 学科 工学
关键词 AlGaN/GaN 三氧化二铝 高击穿电压 金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
年,卷(期) 2016,(5) 所属期刊栏目 器件制备及器件物理
研究方向 页码范围 578-582
页数 5页 分类号 TN3|TN4|TN5
字数 语种 中文
DOI 10.3788/fgxb20163705.0578
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研究主题发展历程
节点文献
AlGaN/GaN
三氧化二铝
高击穿电压
金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
发光学报
月刊
1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
出版文献量(篇)
4336
总下载数(次)
7
总被引数(次)
29396
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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