硅碳直接反应法制备超细β-SiC粉

• 作者: 安子博 曹宏 汪晗 竺昌海 薛俊
• 来源期刊: 武汉工程大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 超细粉体 制备
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程
• 页码范围: 560-564
• 页数: 5页
• 分类号: TB321
• 字数: 2861字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-2869.2016.06.009

摘要

采用碳纳米管(CNTs)为碳源,硅粉为硅源,通过煅烧,制备出了纳米到亚微米级的超细碳化硅(SiC)粉体,研究了l 300℃、1 400℃、1 500℃三个不同的反应温度对于SiC粉体粒度的影响,讨论了SiC颗粒形成的反应机理.表征结果显示,制备的粉体物相均为β-SiC,随着反应温度的升高,粉体粒径增大.Nicomp多波形粒径分布显示,在l 300℃条件下制备的超细SiC粉体中96.4％的颗粒粒径为95.9 nm.通过分析,推测超细SiC粉的形成机理为:反应物中存在的杂质镍与硅粉在高温下形成共熔液滴,碳纳米管进入液滴反应生成SiC晶核,进而析出晶体,晶体在高温条件下不断长大,形成超细SiC粉.碳硅直接反应法相对简单、成本低,适合大规模制备纳米及亚微米级碳化硅粉体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛俊	武汉工程大学材料科学与工程学院	56	216	8.0	11.0
2	曹宏	武汉工程大学材料科学与工程学院	74	348	11.0	14.0
3	安子博	武汉工程大学材料科学与工程学院	5	17	3.0	4.0
4	汪晗	武汉工程大学材料科学与工程学院	6	7	2.0	2.0
5	竺昌海	武汉工程大学材料科学与工程学院	3	4	1.0	2.0