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硅基超疏水跨尺度微纳结构的制备
硅基超疏水跨尺度微纳结构的制备
作者:
张德勤
杨超
邹传平
高阳
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
衍射干涉
理论分析
跨尺度结构
ICP-Bosch工艺
超疏水性能
摘要:
提出了一种可行的制备超疏水跨尺度微纳结构的方法,该方法基于衍射干涉光刻技术,制备出拥有跨尺度的光刻胶结构阵列.建立衍射干涉光刻模型,采用严格耦合波分析(RCWA)方法对衍射干涉形成的光强分布进行理论分析;通过衍射干涉光刻技术制备出跨尺度微纳光刻胶阵列.最后用ICP-Boseh干法刻蚀工艺,将跨尺度光刻胶结构转移到硅基底上,制备出高深宽比硅管状结构,其顶部是跨尺度微纳锥形结构,利用接触角测量仪对制备的样品表面的浸润性能进行了测试,测试结果表明该跨尺度微纳结构达到超疏水性能.
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内容分析
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文献信息
篇名
硅基超疏水跨尺度微纳结构的制备
来源期刊
微纳电子技术
学科
工学
关键词
衍射干涉
理论分析
跨尺度结构
ICP-Bosch工艺
超疏水性能
年,卷(期)
2016,(9)
所属期刊栏目
加工、测量与设备
研究方向
页码范围
616-622
页数
分类号
TH703
字数
语种
中文
DOI
10.13250/j.cnki.wndz.2016.09.009
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
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1
张德勤
九江学院机械与材料工程学院
36
141
6.0
11.0
2
邹传平
九江学院机械与材料工程学院
11
48
4.0
6.0
3
高阳
九江学院机械与材料工程学院
3
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杨超
九江学院机械与材料工程学院
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理论分析
跨尺度结构
ICP-Bosch工艺
超疏水性能
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微纳电子技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄市179信箱46分箱
邮发代号:
18-60
创刊时间:
1964
语种:
chi
出版文献量(篇)
3266
总下载数(次)
22
总被引数(次)
16974
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