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高重频2μm Ho:GdVO4固体激光器
高重频2μm Ho:GdVO4固体激光器
作者:
丁宇
蔡军
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
室温
高重频
Ho:GdVO4
吸收截面
发射截面
摘要:
介绍了一种室温条件下新型高重频2μm Ho:GdVO4固体激光器。首先在室温条件下利用分光光度计对Ho:GdVO4晶体的吸收光谱进行了测定,通过经典J-O理论计算得到了Ho:GdVO4晶体在2μm附近的吸收截面;其次通过对荧光光谱的测定与计算,得到了2μm附近的发射截面;最后通过吸收光谱信息确定了泵浦源波长,利用1942 nm Tm光纤激光器作为泵浦源实现了在重复频率为30 kHz时平均功率为11 W的激光输出。
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声光调Q
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CCD测量LD端面抽运Nd:GdVO4固体激光器热焦距
激光物理
热焦距
CCD探测法
Nd:GdVO4晶体
内容分析
文献信息
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内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
高重频2μm Ho:GdVO4固体激光器
来源期刊
光电技术应用
学科
工学
关键词
室温
高重频
Ho:GdVO4
吸收截面
发射截面
年,卷(期)
2016,(3)
所属期刊栏目
激光技术
研究方向
页码范围
28-32
页数
5页
分类号
TN248.1
字数
3962字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
蔡军
6
14
3.0
3.0
2
丁宇
8
17
3.0
3.0
传播情况
被引次数趋势
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引文网络
引文网络
二级参考文献
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共引文献
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参考文献
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节点文献
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引证文献(0)
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高重频
Ho:GdVO4
吸收截面
发射截面
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
光电技术应用
主办单位:
中国电子科技集团公司光电研究院
出版周期:
双月刊
ISSN:
1673-1255
CN:
12-1444/TN
开本:
大16开
出版地:
天津市空港经济区纬五道9号
邮发代号:
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
2224
总下载数(次)
8
总被引数(次)
9885
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