Eu2+和Dy3+掺杂浓度对Sr2MgSi2O7材料的荧光和长余辉性能的影响

• 作者: 孔哲 季振国 席俊华 张峻 李鹤 毛启楠
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅酸镁锶 发光性能 掺杂 浓度淬灭
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 819-826
• 页数: 8页
• 分类号: TB34
• 字数: 4721字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20150624

摘要

采用高温固相法制备得到Sr2MgSi2O7∶ Eu2+和Sr2MgSi2O7∶ Eu2+,Dy3+发光粉,并详细研究了Eu2+和Dy3+的掺杂浓度对Sr2MgSi2O7材料的荧光和长余辉性能的影响.所有样品都在470 nm附近呈现较宽的发光峰,这可归因于Eu2+离子的4f65d→4f7电子能级跃迁.当Eu2+掺杂浓度超过淬灭浓度,其浓度淬灭效应导致发光粉的荧光强度下降和余辉时间减短.同时,发射峰的峰位随Eu2+浓度的增加而发生红移,这主要由于晶体场分裂能和斯托克斯位移变化造成的,而电子云扩大效应变化所产生的影响相对较弱.Dy3+离子会抑制荧光,但有助于延长余辉时间.当其掺杂浓度超过10mol％时,Eu2+\Dy3+离子通过隧道复合机制发生浓度淬灭,从而使材料的长余辉寿命减少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	季振国	杭州电子科技大学材料与环境工程学院	33	116	5.0	9.0
2	张峻	杭州电子科技大学材料与环境工程学院	6	16	2.0	4.0
3	席俊华	杭州电子科技大学材料与环境工程学院	13	27	3.0	4.0
4	孔哲	杭州电子科技大学材料与环境工程学院	6	5	2.0	2.0
5	毛启楠	杭州电子科技大学材料与环境工程学院	7	14	3.0	3.0
6	李鹤	杭州电子科技大学材料与环境工程学院	3	9	3.0	3.0