旋转工艺对高阻区熔硅单晶研制的影响

• 作者: 刘洪 庞炳远 闫萍
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 旋转工艺 区熔(FZ) 硅单晶 高阻 高均匀性
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 630-633
• 分类号: TN304.053
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2016.09.011

摘要

采用区熔工艺对多次真空提纯后的多晶硅进行了n型高阻硅单晶生长.真空提纯时,通过对工艺参数的精确控制,稳步提升了晶体的纯度和电阻率.单晶生长时,对比分析了常规旋转工艺和正反转旋转工艺两种生长方式对单晶径向电阻率分布的影响,并通过计算得到了杂质在单晶径向上的分布规律.分析认为正反转旋转工艺可以精确地控制杂质在单晶径向上的分布情况,进而确保了单晶径向上的磷杂质含量略大于硼杂质含量.最终,通过采用正反转旋转工艺,成功研制了电阻率为8 000 Ω·cm以上的n型高均匀性区熔硅单晶.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫萍	中国电子科技集团公司第四十六研究所	16	35	4.0	5.0
2	庞炳远	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	17	3.0	3.0
3	刘洪	中国电子科技集团公司第四十六研究所	6	9	2.0	2.0