垂直式 MOCV D中生长参数对 GaN 材料生长的影响

• 作者: 冯兰胜 张进成 过润秋
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 金属有机物化学气相淀积 生长速率 反应动力学
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 页码范围: 178-182
• 页数: 5页
• 分类号: TN204
• 字数: 2129字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2016.05.031

摘要

为了更好地研究GaN材料生长过程，笔者对一种垂直喷淋式金属有机物化学气相淀积系统生长GaN材料过程中反应物的传递和反应过程进行了模拟。模拟结果表明，反应室压力和进入反应室的气流速度对GaN的生长速率和厚度均匀性均有影响。随着反应气体进入反应室的速度升高，反应室内预反应会增强，GaN生长速率升高，同时GaN厚度的不均匀性也会升高；在同样的进气速率下，反应室压强减小，可在一定范围内提高GaN生长速率，但同时增加衬底中央区域厚度，导致厚度不均匀增加。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	过润秋	西安电子科技大学机电工程学院	31	374	11.0	18.0
2	张进成	西安电子科技大学微电子学院	19	65	5.0	7.0
3	冯兰胜	西安电子科技大学机电工程学院	5	7	2.0	2.0