ArSiCl4大气压等离子体射流沉积 SiO2薄膜

• 作者: 常小伟 李娇娇 殷桂琴 袁强华
• 来源期刊: 西北师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 大气压等离子体射流 双频激发 SiO2薄膜
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 38-42
• 页数: 5页
• 分类号: O539
• 字数: 2617字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16783/j.cnki.nwnuz.2016.02.009

摘要

以氩气为携带气体，SiCl4为源材料，使用双频（50 kHz／33 MHz）组合功率源大气压等离子体射流（APPJ）装置，以空气中的氧气作为氧化物质沉积SiO2薄膜．用发射光谱检测等离子体组成物种，并研究了随源材料（SiCl4）含量的不同，体系内各主要物种的变化情况并以此得到较优的沉积条件．分别用扫描电子显微镜（SEM ）、X射线光电子能谱（XPS）以及傅里叶红外光谱（FT‐IR）对所沉积薄膜的形貌、化学成分和化学结构进行检测．XPS表明薄膜主要组成元素为Si、O以及少量的Cl ． FT‐IR显示薄膜化学结构主要为Si‐O‐Si和Si‐O H键．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁强华	西北师范大学物理与电子工程学院甘肃省原子分子物理与功能材料重点实验室	6	4	1.0	2.0
2	常小伟	西北师范大学物理与电子工程学院甘肃省原子分子物理与功能材料重点实验室	1	0	0.0	0.0
3	李娇娇	西北师范大学物理与电子工程学院甘肃省原子分子物理与功能材料重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	殷桂琴	西北师范大学物理与电子工程学院甘肃省原子分子物理与功能材料重点实验室	5	0	0.0	0.0