用248nm光刻机制作150nm GaAs PHEMT器件性能及可靠性评估

• 作者: 林罡 章军云 郭啸
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 可靠性 T型栅
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 44-48
• 页数: 5页
• 分类号: TN386|TN43
• 字数: 2518字
• 语种: 中文

摘要

介绍了基于光刻机的150nmT型栅GaAs PHEMT工艺,其中重点介绍了使用的shrink关键工艺步骤.利用新工艺在某100 mm GaAs工艺线上进行流片,并通过直流测试、loadpull测试、微波小信号测试以及环境试验、极限电压测试、高温步进试验,获得新工艺下制作的GaAs PHEMT的各项性能指标及可靠性.最后制作得到的器件在性能和通过直接光刻得到的PHEMT在性能和可靠性上基本在一个水平上,但是想要通过shrink工艺得到线宽更细的栅长需要进一步努力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林罡		15	107	5.0	10.0
2	郭啸		2	0	0.0	0.0
3	章军云		4	4	1.0	2.0