PECVD制备p型氢化硅氧薄膜及其光电性能研究

• 作者: 刘小娇 刘洁青 廖华 施光辉 李航 殷俊传 胡志华
• 来源期刊: 云南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 氢化非晶硅氧 光学带隙 CO2 激活能 PECVD
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 可再生能源研究
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: TB383|TM914
• 字数: 1865字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7699/j.ynnu.ns-2016-058

摘要

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,在高气压、高氢稀释比和高功率密度条件下,以硅烷和二氧化碳为反应气体,硼烷为掺杂气体,在玻璃衬底上沉积了一系列的p型氢化非晶硅氧(p-SiOx:H)薄膜.利用Raman谱、XRD衍射谱、UV-VIS透射谱以及绝缘电阻测试仪等手段,分析了不同二氧化碳气体流量比对氢化硅氧薄膜的微结构和光电特性的影响.研究结果表明:薄膜为典型的非晶相;随着掺入气体CO2流量增加,薄膜沉积速率RG上升、光学带隙Eg及激活能Ea增大.