短期贮存对金属铜腐蚀电化学行为的影响

• 作者: 冯林 李爱娇 王佳 王燕华 金晓晓 钟莲
• 来源期刊: 中国腐蚀与防护学报
• 学科: 工学
• 关键词: 阵列电极 短期贮存 Cu Mott-Schottky曲线 液滴 腐蚀
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 375-380
• 页数: 6页
• 分类号: TG174.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.11902/1005.4537.2015.162

摘要

采用动电位极化(PDS)、电化学阻抗谱(EIS)、电容测量以及阵列电极等技术研究了Cu的短期贮存对其腐蚀电化学行为的影响.结果表明,金属Cu表面膜呈现p型半导体结构,经过短期贮存后载流子浓度减小,腐蚀电位正移,腐蚀电流密度下降,表面膜对腐蚀阴极过程、阳极过程均有抑制作用.Cu在NaCl液滴下呈现典型的局部腐蚀特征;经过贮存后,电极表面润湿性减弱,腐蚀活性降低,总体平均腐蚀强度减弱,但是局部腐蚀强度反而增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王佳		130	1321	20.0	29.0
2	王燕华		21	97	6.0	9.0
3	冯林		3	0	0.0	0.0
4	钟莲		8	18	1.0	4.0
5	李爱娇		2	0	0.0	0.0
6	金晓晓		3	31	2.0	3.0