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摘要:
SiC器件是下一代电力电子器件,目前价高难推广应用,在器件换代过渡期为增大功率及降低成本推出Si和SiC混合模块是现实的解决方案.除价格因素外,SiC器件的高开关速度导致开关过程电压和电流大幅振荡,也为应用带来很大困难,混合模块有助于克服这困难.介绍两种Si和SiC混合模块的应用:硅IGBT和碳化硅BCD混合模块及硅IGBT和碳化硅MOSFET混合模块.另外,还介绍全硅IGBT和MOSFET混合模块的应用,它也能获得Si-IGBT+SiC-MOSFET模块的许多好处.
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文献信息
篇名 混合模块及其应用
来源期刊 电气传动 学科 工学
关键词 Si和SiC混合模块 硅IGBT和碳化硅BCD混合模块 硅IGBT和碳化硅MOSFET混合模块 全硅IGBT和MOSFET混合模块
年,卷(期) 2016,(4) 所属期刊栏目 专论
研究方向 页码范围 3-7
页数 5页 分类号 TM23
字数 3714字 语种 中文
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1 马小亮 55 503 13.0 21.0
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研究主题发展历程
节点文献
Si和SiC混合模块
硅IGBT和碳化硅BCD混合模块
硅IGBT和碳化硅MOSFET混合模块
全硅IGBT和MOSFET混合模块
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
电气传动
月刊
1001-2095
12-1067/TP
大16开
天津市河东区津塘路174号
6-85
1959
chi
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31816
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