超导Nb薄膜的RIE刻蚀与表征

• 作者: 刘晓宇 张国峰 张雪 王镇 金华
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: 超导 铌薄膜 反应离子刻蚀
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 76-78
• 页数: 3页
• 语种: 中文

摘要

反应离子刻蚀(RIE)是超导器件制备中重要工艺流程之一.本文介绍了利用RIE对超导Nb薄膜进行刻蚀时通过调节刻蚀参数来调控薄膜侧壁的边缘倾角.由于Nb薄膜刻蚀的边缘倾角主要取决于Nb薄膜和光刻胶的刻蚀速率比,因此我们通过在RIE反应气体CF4中添加不同比例的氧气,同时调节流量、功率等其他刻蚀参数,获得不同的刻蚀速率和边缘倾角.我们利用SEM对刻蚀后的Nb线条进行表征,从而获得边缘倾角随不同氧气配比的变化曲线.本工作对于Nb基SQUID等多层平面器件的制备具有较大意义.通过控制Nb薄膜的边缘倾角可以改善层间线条交叠部分的有效过渡,而较陡直的超导薄膜边缘有利于降低磁通钉扎几率,从而改善SQUID低频噪声性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晓宇	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	38	449	11.0	21.0
2	张雪	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	37	172	6.0	12.0
3	张国峰	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	4	0	0.0	0.0
4	王镇	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	6	4	2.0	2.0
5	金华	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	4	46	2.0	4.0