薄外延CMOS芯片阱掺杂浓度与击穿电压的关系

• 作者: 乔艳敏 谢达 韩兆芳
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS集成电路 闩锁效应 外延片 穿通击穿
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 37-40
• 页数: 4页
• 分类号: TN432.1
• 字数: 2723字
• 语种: 中文

摘要

CMOS电路由于寄生结构的影响,易于发生闩锁效应.主要通过流片实验测试验证,探讨了在外延厚度较薄的情况下阱掺杂浓度与击穿电压之间的关系.提出了在不改变外延厚度、保证芯片抗闩锁性能的前提下,提高CMOS器件击穿电压的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢达		8	9	2.0	3.0
2	韩兆芳		5	2	1.0	1.0
3	乔艳敏		1	0	0.0	0.0