界面极化层引起P(VDF-TrFE)电容器的电容-电压的不对称

• 作者: 刘伯路 孙璟兰 孙硕 孟祥建 沈宏 王建禄 田博博 褚君浩 赵晓林
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: P(VDF-TrFE) 电容器 存储 畴壁
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 页码范围: 143-146
• 页数: 4页
• 分类号: O469
• 字数: 728字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2016.02.004

摘要

通过研究Au/P(VDF-TrFE)/Al电容器的变温(200 K到310 K)电容-电压曲线,室温下观察到两个极化方向下的电容不对称,这个现象可以应用于非挥发性存储器.电容不对称程度随着温度的降低而变小,当温度低于230 K,电容不对称现象消失.P(VDF-TrFE)与Al电极之间的界面极化层可以解释观察到的电容不对称现象.