4H-SiC氯基体系外延研究

• 作者: 张宝顺 张泽洪 张立国 李哲 杨霏 王嘉铭 范亚明 钮应喜 鞠涛
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 外延 化学气相沉积 氯基
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 电力电子与微电子技术专栏
• 页码范围: 649-652
• 页数: 4页
• 分类号: TN30
• 字数: 2243字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14171/j.2095-5944.sg.2016.07.004

摘要

化学气相沉积法(chemical vapor deposition，CVD)外延碳化硅是其面向高频率及大功率器件应用的关键技术，而传统的无氯体系4H-SiC外延生长速率只能达到5~10μm/h。采用氯基生长工艺，在自主研发的热壁CVD系统中在20μm/h生长速率的条件下外延表面没有硅滴缺陷；研究 C/Si 比与生长温度对氯基体系外延表面粗糙度的影响，在优化条件下可实现表面粗糙度Ra=0.175 nm；探讨C/Si比对外延层背地掺杂浓度的影响。在所做研究基础上，可期待通过进一步工作以同时实现低的背底掺杂及低的表面粗糙度。