基于键合线模拟的SiGe BiCMOS 915 MHz功率放大器的设计

• 作者: 张海兵 董颖惠
• 来源期刊: 天津理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe BiCMOS HFSS 键合线 功率放大器
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 页码范围: 28-32
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 2305字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-095X.2016.003.007

摘要

针对射频识别技术的应用,该文设计了一款全集成的射频功率放大器.该功率放大器的中心工作频率为915MHz,采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺的两级单端结构.由于键合线的寄生效应会造成功率放大器的输出功率和效率的减小,本文利用HFSS(High Frequency Simulator Structure)软件建立和分析了键合线的模型,并利用ADS (Advanced Design System)软件拟合仿真数据得到了键合线的等效电路.在功率放大器的仿真中,利用键合线的等效电路来模拟键合线的寄生效应,在此基础上优化电路,最终芯片的面积为(1.6×1.2)mm2.后仿结果表明,在3.3 V的电源电压下,在860 MHz～960 MHz的工作频段类,输入回波损耗小于-12 dB,输出回波损耗小于-15 dB.功率放大器的1 dB压缩点的输出功率为23 dBm,功率附加效率(Power-Added Efficiency,PAE)大于20％,功率增益为17.8 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海兵	天津大学电子信息工程学院	3	1	1.0	1.0
2	董颖惠	天津大学电子信息工程学院	1	0	0.0	0.0