原文服务方: 微电子学与计算机       
摘要:
通过分析传统NAND FLASH坏块信息存储方式,聚焦问题所在点,提出了一种高可靠性的坏块表存储方案设计。在存储区中划分出一块区域,将坏块信息独立存储,并通过冗余存储的方式提高坏块表存储的安全可靠性。实验表明,在坏块信息区出现使用坏块,信息存储失败或故障掉电引起的坏块信息更新不完全的情况下,该算法都能够自主定位坏块信息的异常存储份,找到可靠份,从而实现星载大容量存储器的可靠快速启动。
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文献信息
篇名 一种高可靠星载大容量存储器的坏块表存储方案设计
来源期刊 微电子学与计算机 学科
关键词 NAND FLASH 坏块 SSR
年,卷(期) 2016,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 73-76
页数 4页 分类号 TP31
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 宋琪 中国科学院空间科学与应用研究中心 17 55 5.0 7.0
5 李姗 中国科学院信息工程研究所 14 62 6.0 7.0
14 朱岩 中国科学院空间科学与应用研究中心 44 373 11.0 18.0
15 安军社 中国科学院空间科学与应用研究中心 76 347 9.0 15.0
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坏块
SSR
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期刊影响力
微电子学与计算机
月刊
1000-7180
61-1123/TN
大16开
1972-01-01
chi
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9826
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