调制掺杂结构Si/SiC异质结的光电特性模拟

• 作者: 何映锋 陈治明
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: Si/SiC异质结 调制掺杂结构 光电效应 光电流密度 Silvaco软件
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 18-24
• 分类号: O472|TN304.24
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2016.01.004

摘要

为了进一步改善Si/SiC异质结光电二极管的性能,采用类似掺杂超晶格的结构,将Si层由多个具有量子尺寸的p型薄层和n型薄层周期性地叠合而成,在Si层中形成一系列不同层的电子势阱和空穴势阱,以延迟光生载流子的复合,延长光生载流子的复合寿命,达到提高光电流密度的目的.使用Silvaco软件模拟了这种Si/SiC异质结的特性,研究了不同的Si层结构参数对器件光电特性的影响,并对Si层的厚度及掺杂浓度进行了优化.研究表明,在0.6 W/cm2的卤钨灯辐照条件下,从SiC侧入射,p-Si和n-Si层的掺杂浓度均为1018 cm-3,厚度均为10 nm,器件的光电流密度可达129.6 mA/cm2,与常规结构相比,其最大光电流密度提高了21％,表明将Si/SiC异质结的Si层做成调制掺杂结构对器件光电性能有显著的改善作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学自动化与信息工程学院	83	498	11.0	18.0
2	何映锋	西安理工大学自动化与信息工程学院	3	4	1.0	2.0