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Single event upset rate modeling for ultra-deep submicron complementary metal-oxide-semiconductor devices
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文献信息
| 篇名 | Single event upset rate modeling for ultra-deep submicron complementary metal-oxide-semiconductor devices | ||
| 来源期刊 | 中国科学 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 互补金属氧化物半导体 单粒子翻转率 超深亚微米 模型改进 半导体器件 深亚微米CMOS 载流子收集 收集装置 | ||
| 年，卷（期） | zgkx_2016,（4） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 52-62 | |
| 页数 | 11页 | 分类号 | TN402 |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | |||
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单粒子翻转率
超深亚微米
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