石墨涂层对控制碳化硅外延掺杂的影响研究

• 作者: 张宝顺 张泽洪 张立国 李哲 杨霏 王嘉铭 范亚明 钮应喜 鞠涛
• 来源期刊: 智能电网
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅同质外延 涂层石墨 载流子浓度 碳硅比
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 电力电子与微电子技术专栏
• 页码范围: 644-648
• 页数: 5页
• 分类号: TN30
• 字数: 1623字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14171/j.2095-5944.sg.2016.07.003

摘要

碳化硅同质外延过程中，反应室杂质浓度是外延片背景载流子浓度的决定因素。反应室内石墨部件外层进行碳化钽涂层处理，极大降低了反应室内的杂质浓度。目前对于涂层影响碳化硅外延掺杂浓度具体的定量研究，一直没有具体的数据。采用自主研发的碳化硅外延设备，在完好和破损的涂层石墨部件条件下进行碳化硅同质外延生长，分析相应的外延片背景载流子浓度，从而得到碳化硅外延掺杂浓度的具体定量数据，并对设备研发和使用过程中的掺杂浓度的变化规律进行分析，从而积累了对于实际科研和生产过程中的问题的具体指导经验。