N掺杂TiO2复合膜中N晶格位置转变

• 作者: PILIPTSOU D G ROGACHEV A V 刘光辉 庄玉召 江晓红 陆路德
• 来源期刊: 南京工业大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: N掺杂Ti薄膜 N掺杂TiO2 薄膜 替代型N 填隙型N
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 页码范围: 70-75
• 页数: 6页
• 分类号: TB74
• 字数: 3759字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7627.2016.06.012

摘要

采用磁过滤真空直流阴极弧蒸发工艺在石英基底上沉积N掺杂Ti薄膜，随后将其在马弗炉中以不同的退火温度（100～700℃）热处理制备N掺杂TiO2薄膜，采用X线衍射仪（XRD）、拉曼光谱仪（Raman）、X线光电子能谱（ XPS）和扫描电子显微镜（ SEM）分析表征。结果表明：初始态N掺杂Ti薄膜为包含少量TiN相的Ti薄膜，在300℃退火处理时，N掺杂Ti薄膜直接氧化生成N掺杂金红石相TiO2薄膜。初始态的N掺杂Ti薄膜表面平整、颗粒细密，与基底附着牢固，经700℃退火处理后，TiO2颗粒得到了良好的结晶生长，薄膜厚度增加了60％。当热处理温度为600℃时，N掺杂TiO2复合膜中替代型N开始转变为填隙型N，由于填隙型N具有更高的能级，这种N位置的转变进一步窄化了N掺杂TiO2的能带宽度，提高了对可见光的利用率。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	ROGACHEV A V		1	0	0.0	0.0