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摘要:
为了进一步减小电容阵列DAC占用的面积,提出了一种可用于SAR ADCs的二分电容阵列(三段电容阵列,T-SC)结构.与传统二段电容阵列相比,提出的二分电容阵列在不增加对电容匹配性要求的前提下,减少了芯片面积.在理论上分析了该结构的电容失配和寄生效应,归纳提出了一种计算电容阵列DACDNL的简易公式.Matlab仿真结果与理论分析有较好的一致性,三段电容阵列结构能够实现较好的二进制权重特性;根据提出的计算DNL的简易公式进行参数设计,仿真DNL标准偏差为0.51 LSB,与理论计算0.5 LSB相差0.01 LSB.
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内容分析
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文献信息
篇名 一种新型二分电容DAC的设计
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 电容DAC 电容失配 非线性 SAR ADC 小面积
年,卷(期) 2016,(1) 所属期刊栏目 电路与系统设计
研究方向 页码范围 9-12
页数 分类号 TN453
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王宗民 24 116 7.0 9.0
2 赵元富 28 104 6.0 8.0
3 郑迎新 1 1 1.0 1.0
传播情况
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2003(1)
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2017(1)
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研究主题发展历程
节点文献
电容DAC
电容失配
非线性
SAR ADC
小面积
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
20
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