基于SOI的16通道200GHz阵列波导光栅

• 作者: 吴远大 安俊明 王玥 胡雄伟 袁配
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 阵列波导光栅 波分复用 绝缘体上硅 单片集成
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 313-317,326
• 分类号: TN256
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2016.03.003

摘要

设计并制作了基于绝缘体上硅(SOI)材料的1×16阵列波导光栅(AWG).该AWG器件的中心波长为1 550 nm,信道间隔为200 GHz,采用了脊型波导结构.首先确定了波导的结构尺寸以保证单模传输,并利用束传播法(BPM)模拟了波导间隔、弯曲半径和锥形波导长度等参数对器件性能的影响,对器件结构进行了优化,同时也利用BPM方法模拟了器件的传输谱.模拟结果显示:器件的最小信道损耗为4.64 dB,串扰小于-30 dB.根据优化的器件结构,通过光刻等半导体工艺制作了AWG,经测试得到AWG器件的损耗为4.52～8.1 dB,串扰为17～20 dB,能够实现良好的波分复用/解复用功能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玥	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	79	544	8.0	22.0
2	吴远大	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	25	34	3.0	4.0
3	安俊明	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	45	77	5.0	6.0
4	胡雄伟	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	41	134	6.0	9.0
5	袁配		2	2	1.0	1.0