β-FeSi2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)异质结太阳能电池的模拟与优化

• 作者: 刘振芳 刘淑平 聂慧军
• 来源期刊: 红外
• 学科: 工学
• 关键词: afors-het β-FeSi2 少数载流子 本征层 背场
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 38-42,48
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3520字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-8785.2016.05.008

摘要

运用AFORS-HET软件对β-FeSi2(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/μc-Si(p+)HIT型异质结太阳能电池的性能进行了模拟,并对各层参数进行了优化.模拟结果表明,在FeSi2(n)/c-si(p)结构上加上本征层和背场,能显著地提高电池的性能.加入缺陷并优化各项参数后,电池的最后参数为VoC=647.7 mV,JSC=42.29 mA·cm-2,FF=75.32％,EFF=20.63％,β-FeSi2(n)/c-Si(p)太阳能电池的效率提高了2.3％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘淑平	太原科技大学应用科学学院	28	44	4.0	5.0
2	刘振芳	太原科技大学应用科学学院	3	2	1.0	1.0
3	聂慧军	太原科技大学应用科学学院	8	9	2.0	2.0