一种基于中和电容的60 GHz CMOS差分LNA

• 作者: 刘昱 张健 张海英 李志强 王明华 王硕
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 中和技术 变压器
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 13-17
• 分类号: TN722.3
• 语种: 中文

摘要

针对毫米波频段下硅基CMOS晶体管的栅漏寄生电容严重影响放大器的增益和隔离度的问题,采用交叉耦合中和电容抵消其影响,设计了一款60 GHz三级差分共源极低噪声放大器(LNA).为减小级间匹配无源器件的损耗,节省芯片面积,采用变压器进行级间耦合.基于SMIC55 nm RF CMOS工艺,进行了电路原理图和版图的设计与仿真.仿真结果显示,该LNA输入输出匹配良好,功率增益为21.1 dB,3 dB带宽为57.3～61.5 GHz,噪声系数为5.5 dB,输出1 dB压缩点为-0.64 dBm,功耗为34.4 mW,芯片尺寸为390 μm×670 μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张健	中国科学院微电子研究所	272	3714	30.0	51.0
2	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
3	王硕	中国科学院微电子研究所	81	1044	21.0	29.0
4	李志强	中国科学院微电子研究所	53	335	11.0	15.0
5	刘昱	中国科学院微电子研究所	21	76	5.0	7.0
6	王明华	中国科学院微电子研究所	9	152	6.0	9.0