功率MOSFET寿命模型综述

• 作者: 刘悦遐 刘懿 查晓明 黄萌
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 寿命模型 封装失效 参数漂移失效
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 电力电子功率器件及系统可靠性专辑
• 页码范围: 108-121
• 页数: 14页
• 分类号: TM407
• 字数: 11287字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2016.6.108

摘要

MOSFET是实现电力电子装置功能的核心器件,但其寿命短是制约电力电子系统可靠性的关键因素.由老化造成的MOSFET失效分为封装失效和参数漂移失效,前者由MOSFET制造工艺及材料导致的缺陷在工作环境中恶化而产生,后者为器件在使用过程中其内部微观退化机制在宏观参数的体现.对目前已有的MOSFET寿命相关的研究成果进行总结,分析了MOSFET的各类失效模式,并建立了各类失效模式下MOSFET寿命模型;并进一步总结了各类失效模式下寿命模型的失效判据及其各类寿命预测模型实验验证方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	查晓明	武汉大学电气工程学院	140	1760	20.0	38.0
2	黄萌	武汉大学电气工程学院	18	42	4.0	5.0
3	刘悦遐	武汉大学电气工程学院	4	21	3.0	4.0
4	刘懿	武汉大学电气工程学院	4	6	1.0	2.0