T/R组件功放芯片瞬态温度响应研究

• 作者: 丁晓明 周骏 沈亚 盛重
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 瞬态温度 热仿真 T/R组件
• 年，卷（期）: 2016,（10）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 39-42
• 页数: 4页
• 分类号: TG454
• 字数: 2900字
• 语种: 中文

摘要

T/R组件的热设计是有源相控阵雷达的核心技术之一.在脉冲周期状态下,T/R组件中的功放芯片在很短的时间内,芯片沟道温度会产生快速的变化.针对芯片在脉冲周期中的瞬态温度响应问题,对芯片沟道温度的瞬态变化进行仿真研究,并利用红外热分析仪进行测试验证.将仿真结果与实验结果进行对比,两者结果吻合较好,满足T/R组件的使用要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈亚		9	37	4.0	5.0
2	丁晓明		8	20	3.0	4.0
3	周骏		5	19	2.0	4.0
4	盛重		3	8	2.0	2.0