亚微米间距PECVD填隙工艺研究

• 作者: 冉明 刘嵘侃 杨永晖 王学毅 王飞
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子增强化学气相淀积(PECVD) 二氧化硅(SiO2) 反应离子刻蚀(RIE) 三步填充法 亚微米间隙 金属间介质(IMD) 空洞
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 60-63
• 分类号: TN304.055
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2016.01.011

摘要

将半导体制造中常规的等离子增强化学气相淀积(PECVD) SiO2工艺和等离子反应离子刻蚀(RIE) SiO2工艺结合起来,利用三步填充法实现亚微米间距的金属间介质填充制作.此方法有效解决了常规微米级等离子增强化学气相淀积工艺填充亚微米金属条间隙的空洞问题.实验结果表明,在尺寸大于0.5μm的金属条间隙中没有发现介质填充的空洞问题.空洞问题的解决,使得"三步填充法"的介质填充技术在工艺中能够实用化,并应用到亚微米多层金属布线工艺当中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王飞	中国电子科技集团公司第二十四研究所	18	33	3.0	5.0
3	刘嵘侃	中国电子科技集团公司第二十四研究所	7	21	2.0	4.0
5	王学毅	中国电子科技集团公司第二十四研究所	3	5	1.0	2.0
9	杨永晖	中国电子科技集团公司第二十四研究所	5	9	2.0	2.0
12	冉明	中国电子科技集团公司第二十四研究所	2	2	1.0	1.0