基于硅过渡层纳米金刚石膜/GaN复合膜系的制备

• 作者: 刘金龙 李成明 田寒梅 陈良贤 魏俊俊 黑立富
• 来源期刊: 新型炭材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 硅过渡层 纳米金刚石膜 直接生长 分解
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 518-524
• 页数: 7页
• 分类号: TB333
• 字数: 1279字
• 语种: 中文
• DOI: 10.1016/S1872-5805(16)60029-X

摘要

本文研发了一种简便有效的在GaN半导体衬底上直接生长纳米金刚石膜的方法。研究发现,直接将GaN衬底暴露于氢等离子体中5 min即发生分解,且随着温度从560℃升高至680℃,这种分解反应愈加剧烈,很难在GaN衬底上直接形成结合力良好的纳米金刚石膜。通过在GaN衬底上镀制几纳米厚的硅过渡层,在富氢金刚石生长环境下,抑制了GaN衬底的分解,同时在GaN衬底上沉积了约2μm厚的纳米金刚石膜。硅过渡层厚度是决定纳米金刚石与GaN衬底结合力的主要因素。当硅过渡层厚度为10 nm时,纳米金刚石膜与GaN衬底呈现出大于10 N的结合力,可能与硅过渡层在金刚石生长过程中向SiC过渡层转变有关。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏俊俊	北京科技大学新材料技术研究院	32	112	5.0	9.0
2	黑立富	北京科技大学新材料技术研究院	39	153	6.0	10.0
3	李成明	北京科技大学新材料技术研究院	71	480	12.0	19.0
4	陈良贤	北京科技大学新材料技术研究院	34	69	4.0	5.0
5	刘金龙	北京科技大学新材料技术研究院	34	82	5.0	7.0
6	田寒梅	北京科技大学新材料技术研究院	2	4	2.0	2.0