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摘要:
基于电学互连的贯穿硅通孔(TSV)和高精度圆片级键合等MEMS加工技术,提出了一种硅基射频收发微系统的三维集成结构设计方案,在硅基衬底上将MEMS滤波器、MMIC芯片和控制芯片在垂直方向上集成为单个系统级封装芯片,开发了一套可应用于制备三维集成射频收发微系统的MEMS加工工艺流程.通过基于MEMS技术的三维集成工艺,成功制备了三维集成C波段射频收发微系统芯片样品,芯片样品尺寸为14 mm×11 mm×1.4 mm,测试结果表明,制作的三维集成C波段射频收发微系统样品技术指标符合设计预期,实现了在硅基衬底上有源器件和无源器件的三维集成,验证了所开发工艺的可行性.
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文献信息
篇名 基于MEMS技术的三维集成射频收发微系统
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 微电子机械系统(MEMS)技术 三维集成 贯穿硅通孔(TSV) 射频收发 微系统
年,卷(期) 2016,(3) 所属期刊栏目 MEMS与传感器
研究方向 页码范围 183-187
页数 分类号 TN43|TH703
字数 语种 中文
DOI 10.13250/j.cnki.wndz.2016.03.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨拥军 中国电子科技集团公司第十三研究所 44 220 7.0 13.0
2 杨志 9 50 4.0 7.0
3 汪蔚 中国电子科技集团公司第十三研究所 4 6 1.0 2.0
4 祁飞 中国电子科技集团公司第十三研究所 1 5 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
微电子机械系统(MEMS)技术
三维集成
贯穿硅通孔(TSV)
射频收发
微系统
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微纳电子技术
月刊
1671-4776
13-1314/TN
大16开
石家庄市179信箱46分箱
18-60
1964
chi
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