Gd2O3掺杂对BZT基陶瓷结构和介电性能的影响

• 作者: 何盼盼 侯潇宇 李远亮 郑占申 闫树浩
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化钆 锆钛酸钡 掺杂 固相反应法 体积密度 介电性能
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: TM28
• 字数: 2604字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.03.002

摘要

以碳酸钡、二氧化钛、二氧化锆等为主原料，以氧化钆为掺杂剂，采用传统固相法分别于1250，1280，1300，1330℃下制备了BaZr0.1Ti0.9O3(BZT)+xGd2O3(0≤x≤0.7%)陶瓷样品。XRD结果表明，Gd3+掺杂后的陶瓷样品主晶相不变，均为钙钛矿结构。SEM结果表明，随着Gd3+掺杂量的增加，陶瓷的晶粒尺寸先减小后增大。陶瓷样品的体积密度和介电常数在x=0.2%，0.6%时出现较高值，介质损耗tanδ随Gd3+掺杂量的增大呈减小趋势。Gd2O3掺杂改善了BZT陶瓷的介电温度特性，具有一定的移峰与压峰的作用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑占申	华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室	9	3	1.0	1.0
2	何盼盼	华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室	6	3	1.0	1.0
3	李远亮	华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室	8	7	2.0	2.0
4	侯潇宇	华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室	5	3	1.0	1.0
5	闫树浩	华北理工大学材料科学与工程学院河北省无机非金属材料重点实验室	5	3	1.0	1.0