Si3N4陶瓷材料的构筑及缺陷结构研究进展

• 作者: 吴芬 杨亚云 林文松 胡晓 邹义冬
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: Si3N4陶瓷 本征缺陷 综述 电子结构 应用 机理 掺杂
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TQ145.1
• 字数: 3256字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.03.001

摘要

Si3N4陶瓷作为结构陶瓷，以其优越的热力学稳定性能、化学稳定性能、机械性能及低密度结构等优点，在工程施工、电子元件、电工制品等领域具有广泛的应用价值。但 Si3N4陶瓷材料在制备过程中具有杂质增强相凝聚、大晶体凸出、多大气孔等研究瓶颈，结合实际工程应用对 Si3N4陶瓷材料本征缺陷及电子结构进行综述。系统阐述了国内外Si3N4陶瓷材料的研究现状及应用前景，介绍了当前Si3N4陶瓷材料的合成技术、研究方法等。根据工程材料的性能要求与缺陷标准，着重展望了Si3N4陶瓷材料在电子元件领域的应用前景与发展方向。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林文松	上海工程技术大学材料工程学院	88	565	13.0	21.0
2	邹义冬	东华理工大学化学生物与材料科学学院	9	24	2.0	4.0
3	吴芬	上海工程技术大学材料工程学院	7	22	2.0	4.0
7	杨亚云	上海工程技术大学材料工程学院	6	7	2.0	2.0
8	胡晓	上海工程技术大学材料工程学院	1	0	0.0	0.0