WBG功率器件及其在弧焊逆变器领域的应用

• 作者: 朱磊 王振民
• 来源期刊: 焊接
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带半导体 功率器件 弧焊逆变器 碳化硅(SiC)
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 专题综述
• 页码范围: 14-16,21
• 页数: 4页
• 分类号: TG434
• 字数: 3011字
• 语种: 中文

摘要

随着第一、二代半导体器件在材料本征能力方面的不足日益突显,第三代宽禁带半导体器件以其高频率、高耐压、高漂移度以及低电阻能等特性在逆变器领域得到了广泛的关注.介绍了宽禁带(WBG)半导体的发展和特性,对以SiC为代表的宽禁带功率器件在弧焊逆变器领域的应用优势进行分析,最后探讨了宽禁带功率器件应用于弧焊逆变器领域时面临的主要问题及对策.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王振民	华南理工大学机械与汽车工程学院	107	878	15.0	24.0
2	朱磊	华南理工大学机械与汽车工程学院	10	35	4.0	5.0