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摘要:
现代电子器件的大规模集成电路被植入在半导体之上,这些半导体被称为衬底,通过不同的掺杂,得到不同的电路组件.在制作军用高功率微波器件时,需要研究新材料和新工艺.相控阵雷达是基于特殊高功率微波器件的装备.
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对有源相控阵雷达的一些新要求与宽禁带半导体器件的应用
有源相控阵雷达
宽禁带(WBG)半导体
发射接收组件
宽禁带半导体功率器件在现代雷达中的应用
雷达
宽禁带半导体功率器件
发射机
测量反应堆快中子注量率的电流型宽禁带半导体探测器设计
中子
γ混合场
反冲质子法
宽禁带半导体
快中子注量率
补偿电流并联结构
宽禁带功率半导体器件技术
氮化镓
功率器件
碳化硅
宽禁带半导体
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 相控阵雷达与宽禁带半导体
来源期刊 集成电路应用 学科 工学
关键词 相控阵雷达 宽禁带半导体 碳化硅
年,卷(期) 2016,(12) 所属期刊栏目 创新应用
研究方向 页码范围 63-64
页数 2页 分类号 TN95
字数 1639字 语种 中文
DOI 10.19339/j.issn.1674-2583.2016.12.016
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 江少昆 1 0 0.0 0.0
2 吴鹏 3 11 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
相控阵雷达
宽禁带半导体
碳化硅
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
集成电路应用
月刊
1674-2583
31-1325/TN
16开
上海宜山路810号
1984
chi
出版文献量(篇)
4823
总下载数(次)
15
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