CCD新型遮光层工艺技术研究

• 作者: 向鹏飞 姜华男 曲鹏程 杨修伟
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化钛 遮光层 刻蚀 选择比
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 694-697
• 分类号: TN386.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2016.05.020

摘要

针对内线转移CCD金属铝遮光技术存在的漏光问题,对比了不同难熔金属材料的遮光性能,选择漏光率较低的氮化钛金属作为新型遮光层材料.研究了不同气体配比、不同射频功率和腔体压力对氮化钛刻蚀选择比、条宽控制等参数的影响.通过优化工艺参数,获得了适合于刻蚀氮化钛遮光层的工艺条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨修伟		6	7	2.0	2.0
2	向鹏飞		11	16	2.0	3.0
3	姜华男		3	4	1.0	1.0
4	曲鹏程		3	3	1.0	1.0