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摘要:
研究并实现了一种35μm宽三角形硅支撑梁X射线氮化硅膜窗口,通过对位于单晶硅片中央的氮化硅薄膜窗口进行测试,并获得了较好的性能参数:硅支撑梁部分所占面积为19.3%,氮化硅膜厚度约为50 nm,并且能够耐受一个大气压强差。本论文提出的结构与以往的MEMS工艺制备的X射线窗口相比较,更加简单、可靠,并且制备成本更低,可适用于X射线荧光分析仪和SEM的能量色散谱分析仪等设备的X射线引出窗口。
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文献信息
篇名 三角形单晶硅支撑梁结构超薄X射线氮化硅窗口的制备
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 X射线窗口 氮化硅膜 硅支撑梁 体硅腐蚀 低压化学气相沉积 MEMS工艺
年,卷(期) 2016,(5) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 85-88
页数 4页 分类号 TN40
字数 3004字 语种 中文
DOI 10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.05.021
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 任天令 清华大学微电子所 87 600 13.0 19.0
2 谢丹 清华大学微电子所 12 45 4.0 6.0
3 马硕 清华大学微电子所 1 0 0.0 0.0
4 徐建龙 清华大学微电子所 2 5 1.0 2.0
5 孙翊淋 清华大学微电子所 1 0 0.0 0.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
X射线窗口
氮化硅膜
硅支撑梁
体硅腐蚀
低压化学气相沉积
MEMS工艺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
出版文献量(篇)
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16
总被引数(次)
31758
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