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三角形单晶硅支撑梁结构超薄X射线氮化硅窗口的制备
三角形单晶硅支撑梁结构超薄X射线氮化硅窗口的制备
作者:
任天令
孙翊淋
徐建龙
谢丹
马硕
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
X射线窗口
氮化硅膜
硅支撑梁
体硅腐蚀
低压化学气相沉积
MEMS工艺
摘要:
研究并实现了一种35μm宽三角形硅支撑梁X射线氮化硅膜窗口,通过对位于单晶硅片中央的氮化硅薄膜窗口进行测试,并获得了较好的性能参数:硅支撑梁部分所占面积为19.3%,氮化硅膜厚度约为50 nm,并且能够耐受一个大气压强差。本论文提出的结构与以往的MEMS工艺制备的X射线窗口相比较,更加简单、可靠,并且制备成本更低,可适用于X射线荧光分析仪和SEM的能量色散谱分析仪等设备的X射线引出窗口。
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文献信息
篇名
三角形单晶硅支撑梁结构超薄X射线氮化硅窗口的制备
来源期刊
电子元件与材料
学科
工学
关键词
X射线窗口
氮化硅膜
硅支撑梁
体硅腐蚀
低压化学气相沉积
MEMS工艺
年,卷(期)
2016,(5)
所属期刊栏目
研究与试制
研究方向
页码范围
85-88
页数
4页
分类号
TN40
字数
3004字
语种
中文
DOI
10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.05.021
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
任天令
清华大学微电子所
87
600
13.0
19.0
2
谢丹
清华大学微电子所
12
45
4.0
6.0
3
马硕
清华大学微电子所
1
0
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0.0
4
徐建龙
清华大学微电子所
2
5
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孙翊淋
清华大学微电子所
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研究主题发展历程
节点文献
X射线窗口
氮化硅膜
硅支撑梁
体硅腐蚀
低压化学气相沉积
MEMS工艺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
主办单位:
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
开本:
大16开
出版地:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
邮发代号:
62-36
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
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