GaN电子结构与光学性质的第一原理研究

• 作者: 崔红卫 张富春 黄保瑞
• 来源期刊: 河南科学
• 关键词: GaN晶体 电子结构 密度泛函 光学性质
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 所属期刊栏目: 物理与化学研究
• 页码范围: 16-19
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文

摘要

采用了基于密度泛函理论和广义梯度近似方法计算了GaN电子结构和光学性质,计算结果表明,GaN属于直接带隙半导体,静态介电常数为5.72,折射率为2.2.并利用计算所得图形,分析了GaN的能带结构、态密度、介电函数、折射率和能量损失函数,从理论上阐述了GaN材料电子结构与光学性质的关系,计算结果与实验结果相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张富春	延安大学物理与电子信息学院	94	391	10.0	17.0
2	黄保瑞	延安大学物理与电子信息学院	20	62	4.0	7.0
3	崔红卫	延安大学物理与电子信息学院	11	22	3.0	4.0