ATO包覆TiO2的导电性能研究

• 作者: 刘娇 许家胜 邢锦娟 钱建华
• 来源期刊: 化学通报（印刷版）
• 关键词: TiO2 SnO2 锑 包覆 导电性
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 562-565
• 页数: 4页
• 字数: 2806字
• 语种: 中文

摘要

采用化学共沉淀法制备了Sb掺杂SnO2包覆TiO2的微纳米导电粉体.考察了不同Sb量对粉体的导电性能影响,通过XRD、SEM对粉体进行了表征.将导电粉体制成复合电极片,利用电化学工作站对其进行循环伏安和交流阻抗分析.结果表明,随着扫描速率的增加,氧化峰和还原峰分别向阴极和阳极移动,而且氧化还原峰的形状没有随着扫描速率的增加发生明显的变化;当m(SnCl4 ·5H2O)/m(SbC13)=10∶1时,容抗弧半径最小,且斜率最大,电阻最小,导电性最好.此结果与用电阻率测定仪测得电阻率的结果一致,说明利用交流阻抗法和循环伏安法考察导电粉体的导电性是可行的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邢锦娟	渤海大学功能化合物的合成及应用辽宁省重点实验室	75	292	8.0	13.0
2	钱建华	渤海大学功能化合物的合成及应用辽宁省重点实验室	102	432	9.0	14.0
3	刘娇	渤海大学功能化合物的合成及应用辽宁省重点实验室	10	17	3.0	3.0
4	许家胜	渤海大学功能化合物的合成及应用辽宁省重点实验室	21	96	6.0	8.0