拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜电子结构第一性原理研究

• 作者: 周剑平 雷玉玺 马静
• 来源期刊: 宁夏大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 电子结构 拓扑绝缘体 拓扑表面态
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 182-185
• 页数: 4页
• 分类号: O469
• 字数: 2796字
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论第一性原理从头计算的MedeA-VASP软件包,在计算电子结构时考虑自旋轨道耦合作用的情况下,系统地计算了拓扑绝缘体Bi2Te3体块及其密排面(0 1 (-1) 5)薄膜从1层到6层的电子结构.通过计算发现,Bi2Te3体块是带隙为0.146 eV的半导体,随着薄膜层数的逐渐递增,Bi2Te3密排面(0 1 (-1) 5)薄膜出现了无能隙的拓扑表面态,这一结果与Bi2Te3 (111)面的结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周剑平	陕西师范大学物理学与信息技术学院	24	92	5.0	9.0
2	马静	陕西师范大学物理学与信息技术学院	26	33	3.0	5.0
3	雷玉玺	陕西师范大学物理学与信息技术学院	2	2	1.0	1.0