碳化硅肖特基器件技术研究

• 作者: 王国树 赵欢
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 二极管 肖特基 大功率 半导体 电子器件
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 12-14
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 字数: 1586字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2016.06.004

摘要

针对碳化硅肖特基二极管的关键技术，促进国内碳化硅肖特基二极管有理论研究走向实际产品并向应用发展，力求解决碳化硅肖特基二极管设计及制造过程中的技术问题，深入分析氧化技术，刻蚀技术，掺杂技术，金属化技术等关键技术，研制出碳化硅肖特基二极管器件，并且器件技术指标良好。器件已应用在开关模式电源的有源功率因数校正和电机驱动器等电源转换方面，达到了漏电流小，通态电阻低，高温工作稳定性良好等要求。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵欢	中国电子科技集团公司第四十七研究所	3	1	1.0	1.0