钛学术
文献服务平台
学术出版新技术应用与公共服务实验室出品
首页
论文降重
免费查重
学术期刊
任务中心
登录
文献导航
学科分类
>
综合
工业技术
科教文艺
医药卫生
基础科学
经济财经
社会科学
农业科学
哲学政法
社会科学II
哲学与人文科学
社会科学I
经济与管理科学
工程科技I
工程科技II
医药卫生科技
信息科技
农业科技
学科分类
>
综合
工业技术
科教文艺
医药卫生
基础科学
经济财经
社会科学
农业科学
哲学政法
社会科学II
哲学与人文科学
社会科学I
经济与管理科学
工程科技I
工程科技II
医药卫生科技
信息科技
农业科技
数据库索引
>
中国科学引文数据库
工程索引(美)
日本科学技术振兴机构数据库(日)
文摘杂志(俄)
科学文摘(英)
化学文摘(美)
中国科技论文统计与引文分析数据库
中文社会科学引文索引
科学引文索引(美)
中文核心期刊
cscd
ei
jst
aj
sa
ca
cstpcd
cssci
sci
cpku
默认
篇关摘
篇名
关键词
摘要
全文
作者
作者单位
基金
分类号
搜索文章
搜索思路
钛学术文献服务平台
\
学术期刊
\
工业技术期刊
\
无线电电子学与电信技术期刊
\
半导体光电期刊
\
系统级测试下静电防护器件的失效机理分析
系统级测试下静电防护器件的失效机理分析
作者:
刘进
陈永光
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
系统级测试
ESD防护器件
性能退化
瞬变电压抑制器
二次击穿
摘要:
为满足系统级电磁兼容测试标准IEC61000-4-2,许多航空电子设备中都有静电放电(ESD)防护器件,其功能的失效直接影响到被保护电路和整机的安全性.在分析该类器件的失效机理时考虑到典型性,选择双极性ESD防护器件0603ESDA-TR作为受试对象,研究了系统级ESD注入对器件性能的影响,并对器件内部温度分布进行了仿真分析.研究表明ESD脉冲注入时雪崩电流在整个pn结面分布不均匀,仅集中在边缘几个点上,局部过热点的温度甚至达到硅熔融温度,将破坏原有的晶格结构,导致器件二次击穿而发生硬损伤.当ESD电压达到25 kV后,器件的性能参数开始退化,但反向漏电流几乎不变;连续100次脉冲后器件完全失效.分析后得出的结论是:ESD防护器件遭受系统级静电放电冲击时具有累积效应,其失效是由性能退化引起的,并且传统的漏电流检测无法探测到ESD引起的损伤.
暂无资源
收藏
引用
分享
推荐文章
MOS器件的ESD失效
金属氧化物半导体器件
静电放电模型
静电防护
场效应管静电失效与防护措施研究
场效应管
失效
静电放电
措施
关于MEMS器件失效机理的讨论
微机电系统
粘附
金属蠕变
分层
碎屑污染
表贴元器件常见的失效模式及机理分析
表贴元器件
表贴电阻
独石陶瓷电容器
玻封表贴二极管
失效机理
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
相关基金
期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
系统级测试下静电防护器件的失效机理分析
来源期刊
半导体光电
学科
物理学
关键词
系统级测试
ESD防护器件
性能退化
瞬变电压抑制器
二次击穿
年,卷(期)
2016,(5)
所属期刊栏目
材料、结构及工艺
研究方向
页码范围
698-702,724
页数
分类号
O441.1
字数
语种
中文
DOI
10.16818/j.issn1001-5868.2016.05.021
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
陈永光
22
114
6.0
9.0
2
刘进
2
2
1.0
1.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(13)
共引文献
(17)
参考文献
(8)
节点文献
引证文献
(2)
同被引文献
(10)
二级引证文献
(2)
1964(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1966(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1968(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1989(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1995(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1996(2)
参考文献(0)
二级参考文献(2)
1998(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
2001(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
2002(2)
参考文献(0)
二级参考文献(2)
2004(2)
参考文献(0)
二级参考文献(2)
2005(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2007(3)
参考文献(1)
二级参考文献(2)
2008(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2009(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
2010(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2016(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2017(2)
引证文献(2)
二级引证文献(0)
2018(2)
引证文献(0)
二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
系统级测试
ESD防护器件
性能退化
瞬变电压抑制器
二次击穿
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
主办单位:
重庆光电技术研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-5868
CN:
50-1092/TN
开本:
大16开
出版地:
重庆市南坪花园路14号44所内
邮发代号:
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
期刊文献
相关文献
1.
MOS器件的ESD失效
2.
场效应管静电失效与防护措施研究
3.
关于MEMS器件失效机理的讨论
4.
表贴元器件常见的失效模式及机理分析
5.
GaAs PHEMT器件的失效模式及机理
6.
微波器件低气压放电的机理分析与防护方法
7.
军用塑封器件失效机理研究和试验流程
8.
CBGA器件焊点温度循环失效分析
9.
基于失效机理的半导体器件寿命模型研究
10.
电磁脉冲应力下MOS器件退化失效建模
11.
塑封铜丝键合器件失效机理及其可靠性评价
12.
静电放电模型及其失效特征
13.
数控系统的静电防护设汁
14.
电力电子器件失效机理与可靠性
15.
单一失效机理引起的元器件贮存寿命评价方法研究
推荐文献
钛学术
文献服务平台
学术出版新技术应用与公共服务实验室出品
首页
论文降重
免费查重
学术期刊
任务中心
登录
根据相关规定,获取原文需跳转至原文服务方进行注册认证身份信息
完成下面三个步骤操作后即可获取文献,阅读后请
点击下方页面【继续获取】按钮
钛学术
文献服务平台
学术出版新技术应用与公共服务实验室出品
原文合作方
继续获取
获取文献流程
1.访问原文合作方请等待几秒系统会自动跳转至登录页,首次访问请先注册账号,填写基本信息后,点击【注册】
2.注册后进行实名认证,实名认证成功后点击【返回】
3.检查邮箱地址是否正确,若错误或未填写请填写正确邮箱地址,点击【确认支付】完成获取,文献将在1小时内发送至您的邮箱
*若已注册过原文合作方账号的用户,可跳过上述操作,直接登录后获取原文即可
点击
【获取原文】
按钮,跳转至合作网站。
首次获取需要在合作网站
进行注册。
注册并实名认证,认证后点击
【返回】按钮。
确认邮箱信息,点击
【确认支付】
, 订单将在一小时内发送至您的邮箱。
*
若已经注册过合作网站账号,请忽略第二、三步,直接登录即可。
期刊分类
期刊(年)
期刊(期)
期刊推荐
一般工业技术
交通运输
军事科技
冶金工业
动力工程
化学工业
原子能技术
大学学报
建筑科学
无线电电子学与电信技术
机械与仪表工业
水利工程
环境科学与安全科学
电工技术
石油与天然气工业
矿业工程
自动化技术与计算机技术
航空航天
轻工业与手工业
金属学与金属工艺
半导体光电2022
半导体光电2021
半导体光电2020
半导体光电2019
半导体光电2018
半导体光电2017
半导体光电2016
半导体光电2015
半导体光电2014
半导体光电2013
半导体光电2012
半导体光电2011
半导体光电2010
半导体光电2009
半导体光电2008
半导体光电2007
半导体光电2006
半导体光电2005
半导体光电2004
半导体光电2003
半导体光电2002
半导体光电2001
半导体光电2000
半导体光电1999
半导体光电2016年第6期
半导体光电2016年第5期
半导体光电2016年第4期
半导体光电2016年第3期
半导体光电2016年第2期
半导体光电2016年第1期
关于我们
用户协议
隐私政策
知识产权保护
期刊导航
免费查重
论文知识
钛学术官网
按字母查找期刊:
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
其他
联系合作 广告推广: shenyukuan@paperpass.com
京ICP备2021016839号
营业执照
版物经营许可证:新出发 京零 字第 朝220126号