化学机械研磨终点检测专利技术综述

• 作者: 吴洪波
• 来源期刊: 电子制作
• 关键词: 化学机械抛光 CMP 终点检测
• 年，卷（期）: 2016,（7）
• 所属期刊栏目: 实验研究
• 页码范围: 84-85,87
• 页数: 3页
• 字数: 1760字
• 语种: 中文

摘要

化学机械抛光（chemical mechanical polishing, CMP）技术是目前集成电路制造中制备多层铜互连结构不可或缺的关键技术之一。在应用CMP技术去除多余材料时，能准确判断CMP过程中何时达到理想临界状态的终点检测技术，是保证既不“欠抛”又不“过抛”，提高CMP加工质量和效率的一项关键技术。本文较为全面地介绍了终点检测技术的专利申请情况，详细介绍了各种检测手段的原理并列举了典型的专利文献。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴洪波		1	0	0.0	0.0