掺杂单层MoS2电子结构的第一性原理计算

• 作者: 伏春平
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: M oS2 能带结构 态密度 掺杂 第一性原理
• 年，卷（期）: 2016,（12）
• 所属期刊栏目: 材料与工艺
• 页码范围: 80-83
• 页数: 4页
• 分类号: O469
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2016.12.013

摘要

采用第一性原理研究Cu ，Ag ，Au掺杂单层MoS2的键长畸变、能带结构和态密度。探讨Cu ，Ag ，Au掺杂对单层MoS2电子结构的影响。结果表明：Cu ，Ag ，Au在S位掺杂的杂质能都低于在Mo位掺杂的杂质能，其在S位掺杂的体系的稳定性强于在Mo位掺杂的体系。在S位掺杂时，杂质与最近邻的Mo ，S原子的键长都发生了畸变，畸变率最大的是 dAu‐Mo ，达23．8％。与单层MoS2的超胞相比，掺杂体系的禁带中出现了4条新能级，导带和价带的能量向低能区移动。杂质原子周围存在着电荷聚集，同时也存在电荷损失。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	伏春平	重庆文理学院电子信息技术与应用工程中心	29	77	5.0	7.0