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摘要:
结温是IGBT器件的重要状态变量,可在变流器运行过程中通过监测温敏电参数dV/dt获得相关信息.然而实际系统中除温度与电流外,其他因素也可能改变温敏参数dV/dt,从而影响IGBT结温测量的准确性.首先主要研究了不同因素(包括直流电压,门极电阻,杂散电感以及突波吸收电容)对温敏参数dV/dt的影响,并对不同因素与dV/dt的关系进行了理论分析;然后利用双脉冲实验研究了不同因素对1700 V/450 A的IGBT模块温敏参数dV/dt的影响,并进一步评估其对结温测量的影响.该研究工作对基于dV/dt的IGBT结温测量技术的研发具有一定的参考价值.
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脉冲功率系统
MOS栅控晶闸管
dV/dt
亚阈电流
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 不同因素对IGBT温敏参数dV/dt的影响
来源期刊 电源学报 学科 工学
关键词 IGBT dV/dt 结温测量 杂散电感
年,卷(期) 2016,(6) 所属期刊栏目 电力电子功率器件及系统可靠性专辑
研究方向 页码范围 35-39,66
页数 6页 分类号 TM46
字数 2457字 语种 中文
DOI 10.13234/j.issn.2095-2805.2016.6.35
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 向大为 同济大学电气工程系 11 19 3.0 4.0
2 袁逸超 同济大学电气工程系 2 6 1.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
IGBT
dV/dt
结温测量
杂散电感
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电源学报
双月刊
2095-2805
12-1420/TM
大16开
天津市南开区黄河道467号大通大厦16层
2002
chi
出版文献量(篇)
1407
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6
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6404
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