Hg在Pd掺杂的CeO2表面吸附和脱除

• 作者: 周劲松 孟帅琦 王小龙 骆仲泱 高翔
• 来源期刊: 应用化学
• 学科: 化学
• 关键词: 密度泛函理论 汞 CeO2 Pd-CeO2 吸附机理
• 年，卷（期）: 2016,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 960-967
• 页数: 8页
• 分类号: O641
• 字数: 4058字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11944/j.issn.1000-0518.2016.08.150359

摘要

基于密度泛函理论对Hg在纯CeO2表面的吸附机理进行了理论计算,采用p(3×3)的二维超晶胞模型计算了CeO23个不同表面上不同位点对汞的吸附能,计算结果表明,Hg在纯CeO2表面吸附能力较弱,为物理吸附,Hg原子与CeO2未形成有效化学键.为了进一步研究Hg在CeO2表面的吸附机理,计算了Hg在Pd掺杂的CeO2(Pd-CeO2)表面的吸附机理,结果表明,Hg在Pd-CeO2表面吸附能较强,为化学吸附,Hg原子与Pd-CeO2之间形成有效的化学键,说明Pd的掺杂有利于提高CeO2对汞的吸附能力.为了量化纯CeO2和Pd-CeO2的汞脱除效率,对Hg在纯CeO2和Pd-CeO2表面的脱除进行了实验研究.实验结果表明,纯CeO2对汞的脱除效率较低,贵金属Pd的掺杂能够有效提高CeO2的汞脱除效率,与理论计算的结果相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高翔	浙江大学能源清洁利用国家重点实验室	256	5060	34.0	61.0
2	骆仲泱	浙江大学能源清洁利用国家重点实验室	528	12098	57.0	79.0
3	周劲松	浙江大学能源清洁利用国家重点实验室	98	2937	32.0	52.0
4	孟帅琦	浙江大学能源清洁利用国家重点实验室	4	18	3.0	4.0
5	王小龙	浙江大学能源清洁利用国家重点实验室	2	8	2.0	2.0