碳化硅MOSFET电热耦合模型及分析

• 作者: 吕秀婷 谭平安
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 MOSFET 电热耦合 Matlab/Simulink
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 电力电子功率器件及系统可靠性专辑
• 页码范围: 29-34
• 页数: 6页
• 分类号: TM461.5
• 字数: 2742字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2016.6.29

摘要

为在Matlab/Simulink环境下准确预测碳化硅SiC(silicon carbide)功率器件在实际工况下的结温变化,针对SiC MOSFET器件提出了一种基于时变温度反馈的电热耦合模型建模方法.该方法能更好地反映SiC MOSFET在导通和开关过程中的性能特点,模型从器件物理分析和工作机理出发,将功率损耗和热网络模块引入建模,实时反馈器件结温和更新温度相关参数.采用CREE C2M0160120D SiC MOSFET器件进行测试,根据制造商数据手册和测试实验中提取,仿真结果证实了该建模方法的正确性,为器件的寿命预测和可靠性评估提供了研究基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭平安	湘潭大学信息工程学院	28	241	9.0	15.0
2	吕秀婷	湘潭大学信息工程学院	1	1	1.0	1.0