体硅CMOS集成电路抗辐射加固设计技术

• 作者: 左玲玲 米丹
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 体硅CMOS集成电路 总剂量效应 单粒子效应 电路结构加固 版图设计加固
• 年，卷（期）: 2016,（9）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 3107字
• 语种: 中文

摘要

首先介绍了空间辐射环境,并对各种辐射效应及其损伤机理进行分析.然后对体硅CMOS集成电路的电路结构、抗辐射加固技术和版图设计抗辐射加固技术进行探索.测试结果表明,采用版图加固抗辐射技术可以使体硅CMOS集成电路的抗辐射性能得到明显提升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	米丹		1	3	1.0	1.0
2	左玲玲		1	3	1.0	1.0